Alimentation du Thyristor igct 5shx1060h0003

Alimentation du Thyristor igct 5shx1060h0003

Thyristor à commutation de porte intégré - igct 5shx1060h0003

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. à vendreAlimentation du Thyristor igct 5shx1060h0003

5SHX1060H0003

5SHX10H6004

5SHX10H6010

3BHL001863P0001

3BHL000396P0001

3BHB023302R0001

3BHB023623R0001

3BHB030310R0001 5SHY4045L0006

3BHB030310R0001 4500V, 91mm, 5SHY 4045L0006: MODULE GCT

RC-IGCT 5SHX 1960L0006, 91MM GVC736 3BHB016120R0002

KV C757 A124: IPS Voltage unique 24V 3BHE020959R0124

Contre. PANEL INTERF. CONN. BOARD NDPI-02 3BHL000764P0001

3BHB023235R0001

3BHB002000R0001

3BHB013088R0001

Présentation du produit

Le 5shx1060h0003 est un module igct (Integrated Gate Redressing thyristor) à conduction inversée fabriqué par ABB. Igct est un dispositif semi - conducteur de haute puissance avec des caractéristiques telles que l'interrupteur rapide, la haute résistance à la tension, le courant élevé, etc., largement utilisé dans le domaine de l'électronique de puissance. Ce module igct d'ABB, qui combine les fonctions d'un thyristor et d'un redresseur, permet une conduction unidirectionnelle sur l'alimentation en courant alternatif et une commande de commutation du courant sous l'action d'un signal de commande.

IGCTEn raison de ses avantages d'une tension de blocage élevée, d'une grande capacité, d'une faible perte à l'état passant et d'une fiabilité élevée, il est largement utilisé dans le domaine de la régulation de vitesse à fréquence variable industrielle, du raccordement au réseau éolien, du trafic ferroviaire et d'autres domaines.

Les convertisseurs de fréquence de la série ACS de la société pour le secteur de la transmission moyenne tension et les convertisseurs de la série PCS pour le secteur de l'énergie éolienne utilisent tous igct comme dispositif de commutation,

Mise au point réussie d'un prototype de CONVERTISSEUR MODULAIRE MULTINIVEAU (MMC) pour l'alimentation du trafic ferroviaire;

Par rapport à IGBT,IGCTAvec une chute de tension à l'état passant plus faible, une plus grande fiabilité et des coûts de fabrication plus faibles, ainsi qu'une structure compacte avec une plus grande capacité de blocage de la tension et du flux,

Il est prévu d'améliorer les performances et les performances de l'IGBT dans les applications haute tension à grand volume. En effet, par rapport à une application de réseau alternatif, dans un réseau électrique à courant continu flexible,

MMC、 Les transformateurs DC et les disjoncteurs DC ont de nombreuses nouvelles caractéristiques, telles que la fréquence de commutation très faible du MMC,

Le transformateur DC a une capacité de commutation douce, le disjoncteur DC ne nécessite qu'une seule opération, etc. Ces caractéristiques affaibliront en partie les faiblesses techniques telles que la vitesse de commutation lente de l'igct,

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. à vendreFourniture du module igct 5shx1060h0003

IGCTUn coup de pouce avec SCR, abréviation de Silicon Controlled Rectifier, un redresseur de silicium contrôlableAbréviation de. Il existe plusieurs types de silicium contrôlable unidirectionnel, bidirectionnel, interrupteur et à commande optique. Il présente les avantages d'une petite taille, d'un poids léger, d'une efficacité élevée, d'une longue durée de vie et d'un contrôle pratique. Il est largement utilisé pour le redressement contrôlable, la régulation de la tension, l'inversion ainsi que pour les interrupteurs sans contact.Etc. diverses occasions de contrôle automatique et de conversion d'énergie électrique à haute puissance le silicium contrôlable unidirectionnel est un composant électronique redresseur contrôlable qui peut être transformé en conducteur par arrêt sous l'action d'un signal de commande externeMais une fois qu'il est allumé, le signal externe ne peut pas le faire s'éteindre, seulement en enlevant la charge ou en abaissant la tension à ses bornes. Le silicium commandable unidirectionnel est un dispositif semi - conducteur à trois extrémités à quatre couches composé de trois jonctions pnpnpn, par rapport aux diodes à une jonction PN, la conduction directe du silicium commandable unidirectionnel de Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Est contrôlée par le courant de pôle de contrôle; Avec deux nœuds PNPar rapport à la triode, la différence réside dans le courant de pôle de contrôle de la paire de silicium contrôlableIl n'y a pas d'amplification. Le silicium bidirectionnel a la propriété d'être alternativement conducteur, bloqué dans les deux sens. Silicium contrôlable bidirectionnelEssentiellement deux antiparallèle unidirectionnel silicium contrôlable, est un dispositif semi - conducteur formé de cinq couches de semi - conducteur npnpn quatre structures PN avec trois électrodes. En raison de l'électrode principaleLa construction est symétrique (les deux à partir de la couche n), Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd, de sorte que ses électrodes ne sont pas appelées anode et cathode, respectivement, comme le silicium unidirectionnel, mais plutôt proches du pôle de commande appelé première électrode A1, l'autre appelée deuxième électrode A2. Le principal inconvénient du silicium bidirectionnel est sa faible capacité à supporter le taux de montée en tension. En effet, à la fin de la conduction du silicium bidirectionnel dans un sens, les porteurs de la tranche de silicium dans les différentes couchesIl n'y a pas encore de retour à l'état de coupure et les mesures de protection correspondantes doivent être prises. L'élément de silicium contrôlable bidirectionnel est principalement utilisé dans les circuits de contrôle AC, tels que le contrôle de la température, le contrôle de la lumière, interrupteurs AC antidéflagrants et circuits tels que la régulation de vitesse et la commutation du moteur à courant continu. Le silicium contrôlable a été ouvert au - dessus du courant de maintien, Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. A un courant de fermeture élevé, un contrôle difficile et une vitesse de fermeture plus lente. Dans la chaîne d'inversion, SCR dans lci (convertisseur de phase de charge) a d'excellentes performances, peut faire une très grande puissance, une tension élevée et un courant élevé. La Diode (Diode, dispositif de redressement non contrôlable) et le redressement SCR (semi - contrôlable) n'ont pas besoin de PMW pour répondre au fonctionnement du convertisseur de fréquence à deux quadrants, PWM nécessite des dispositifs tels que l'IGBT (contrôle total).

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Vend et fournit le module igct 5shx1060h0003

SKiiPLes unités d'entraînement intégrées à l'intérieur du système de modules de puissance intelligents de la série ont les fonctions suivantes:
* fonction d'interverrouillage du temps mort du bras de pont supérieur et inférieur IGBT
* fonction de suppression des impulsions courtes
* fonction de réglage de forme d'onde d'impulsion d'entrée
* fonction de pince de signal d'entrée
* Surveillance de sous - tension latérale primaire d'alimentation interne(SKiiP2/3),Surveillance de sous - tension latérale secondaire de l'alimentation interne(SKiiP3)
* protection temporaire contre les surtensions et protection contre les inversions de polarité
* Protection contre la surchauffe (les produits refroidis à l'air ont cette fonction)
* Protection contre les courts - circuits et contre les surintensités (par capteur de courant et vcesat)
Protection vcesat (skiip3)
* Protection contre les surtensions de tension de bus DC (facultatif)

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd vend le module igct 3bhb020538r0001

SKiiP1803GB123-3DUK0299

SKiiP1813GB123-3DUK1080

SKiiP2403GB123-4DUK0262

SKiiP1803GB123-3DUK0299
SKiiP1803GB172-3DFK0368
SKiiP1813GB123-3DUK1080
SKiiP1813GB123-3DUK0382
SKiiP2403GB123-4DUK0381
SKiiP2413GB123-4DUK1070
SKiiP2403GB123-4DUK0262

IGCT 5SHX1060H0003Applications typiques:

Système de climatisation

Énergie renouvelable

Traction

Ascenseur

Transmission industrielle

Les principales caractéristiques de la technologie skiip Smart Power Module sont:

La puce IGBT adopte une distribution décentralisée, ce qui rend la densité thermique faible

Technologie de substrat sans cuivre

Technologie de sertissage à ressort

Les unités de bras de pont à l'intérieur du module sont distribuées en parallèle, ce qui donne une faible inductance parasite.

Ces caractéristiques techniques permettent au système de modules de puissance intelligents skiip d'obtenir une résistance thermique plus faible, une plus grande capacité de cycle thermique et de cycle de charge (5 fois supérieure à celle d'un module normal) et une inductance parasite plus faible. Dans le même temps, en raison des caractéristiques de faible résistance thermique du système skiip, un radiateur de plus petit volume peut être adopté.

Les systèmes de modules de puissance intelligents de la série skiip de SEMIKRON contiennent deux générations de produits skiip2 et skiip3, qui s'ajoutent au substrat Al2O3 de skiip2, qui ajoute à son tour un choix de substrats AlN dans les modules refroidis à l'eau. L'extrémité AC du système de module de puissance intelligent skiip intègre des capteurs de courant rapides et fortement isolés électriquement, ce qui est pratique pour la détection de courant

‌Igct (Integrated Gate - Commutated Thyristor, Thyristor de commutation de porte intégré) est une électronique haute tension haute puissance avec des avantages tels qu'un commutateur rapide, une faible chute de tension en conduction et une bonne capacité de blocage inverse, qui a été largement utilisée dans les applications haute tension et haute puissance.‌. L'igct combine les caractéristiques du GTO (Gate - blockable thyristor) et du MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) avec des avantages tels qu'une vitesse de commutation rapide, de faibles pertes de commutation et une simplification des circuits auxiliaires.1- Oui.

Caractéristiques

1. ‌Faible perte de commutationLa fréquence de fonctionnement de l'igct peut atteindre 4 fois celle de l'équipement de puissance traditionnel, adapté aux applications à haute fréquence, telles que les systèmes de transmission de moteur, peut améliorer l'efficacité du système.1- Oui.

2. ‌Simplification des circuits auxiliairesIgct élimine le besoin de circuits tampons, simplifie la conception, réduit le nombre de composants et améliore la fiabilité et la compacité du système.1- Oui.

3. ‌Faible puissance d'entraînement de la porteLe courant de commande de porte de l'igct est plus petit, réduisant la consommation d'énergie du circuit de commande1- Oui.

4. ‌Temps de stockage courtLes temps d'arrêt courts et discrets de l'igct améliorent la sécurité et la fiabilité du système.1- Oui.

Domaines d'application

Igct est principalement utilisé dans le domaine de la transmission de courant continu à haute tension, convertisseur de fréquence haute puissance, traction électrique, etc. Par exemple, dans les systèmes de transmission CC haute tension, l'igct peut être utilisé pour construire des vannes de commutation CC flexibles permettant une conversion et un contrôle efficaces de l'énergie.34En outre, l'igct convient également aux scénarios d'application à haute puissance tels que les entraînements de gros moteurs, les systèmes de transmission et de distribution d'énergie.

Pékin Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Original authentique au comptant d'approvisionnement siemencon IGBT ModuleSKiiP 2414 GB12E4-4DUK312

Vestas Vestas ct383a

Woodward Woodward convertisseur de fréquence IGBT Module KP - 40727

1200V - IGBT 3 (tranchée) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3

SKIIP1013GB172-2DK0203

Woodward Woodward convertisseur de fréquence IGBT Module KP - 40727
1200V - IGBT 4 (tranchée) - SKiiP4

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Est un fournisseur de chaîne industrielle de vente de semi - conducteurs d'électronique de puissance et de solutions pour l'industrie de l'électronique de puissance intégrant le canal, la distribution, la distribution, la vente directe et le modèle OEM.

Spécialisé dans la vente de dispositifs semi - conducteurs d'électronique de puissance, de convertisseurs de fréquence, d'accessoires de convertisseur de fréquence, de capacités électrolytiques en aluminium et de modules de puissance nationaux et étrangers; Principalement distribué en Allemagne Infineon Infineon, eupec

Siemens Siemens, siemencon SEMIKRON, ixys - eisers, AEG, VISHAY, Danfoss - Danfoss, Tyco - Tyco, dynex - Danfoss, Vacon - weiken, Mitsubishi Mitsubishi,

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CIMA, Royaume - Uni, IGBT, igct, IPM, PIM, Thyristors contrôlables en silicium, GTO, GTR Darlington, pont redresseur, diodes, modules à effet de champ fabriqués par la société espagnole; Japon Fuji (Fuji), Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Vente d'approvisionnementModule IGBT pour siemenconModule IPM skiip 613 gd123 - 3duw day out (Hinode), France Roland (Ferraz), Royaume - Uni Gould, États - Unis bussmann Fast fusibles; KEMET， Arcotronics Italia (av), facon Italia, ikeki electronicon Germany, Thomson TPC France, Hitachi Japan, Nippon Chemi - con Black Kong, nichicon Nikon;

Ruby, Epcos Epcos, RIFA fornift en Suède, BHC au Royaume - Uni, capacité électrolytique BHC aerovox et capacité inductive CDE aux États - Unis; Swiss concept IGBT drives, optocoupleurs, variateurs de fréquence, cartes d'entraînement, cartes d'alimentation, cartes de communication, cartes d'interface

Panneau d'opération

Accessoires de rechange industriels pour dispositifs de puissance à semi - conducteurs de marque à vendre: Module IGBT; Module IGBT monotube; Module IGBT à demi - pont à deux tubes; Module IGBT pont en H à 4 unités; Module IGBT 3 unités; Module IGBT triphasé à pont complet de 6 unités;

Module IGBT à trois niveaux; Module IGBT haute tension 6500v; Module IGBT haute tension 3300v; Module IGBT haute tension 4500v; Module IPM; Le module PIM; Module PLC; Le module GTR Darlington; Thyristors GTO; Thyristors ordinaires;

Thyristors rapides; Diodes; Diode de récupération rapide; Pont redresseur; Redresseur de frein; Pont redresseur monophasé; Pont redresseur triphasé; Pont redresseur entièrement contrôlé; Pont redresseur semi - contrôlé; Silicium contrôlable; Silicium contrôlable bidirectionnel; Silicium antiparallèle; Plaque d'entraînement;

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