Plaque d'entra?nement Siemens IGBT a5e00337012

Plaque d'entraînement Siemens IGBT a5e00337012

Accessoires pour convertisseur de fréquence gm150 gl150

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd vend le Module IGBT Infineon; Module de silicium contrôlable; Module de pont redresseur; Un module de diodes; Thyristors; Silicium contrôlable, capacité, alimentation, ventilateur, capteur, module IPM; Module de puissance semi - conducteur; Accessoires de convertisseur de fréquence, carte d'entraînement, carte de contrôle, carte cuvc, accessoires de convertisseur de fréquence moyenne tension, carte ivi. Tableau de communication

Gm150 Siemens IGBT plaque d'entraînement a5e00337012

6SL3912-5AP36-0AA0 (6SL39125AP360AA0)

Une paire de cartes IGBT-POWERCARDS FZ1200; refroidi par l'eau pour la sinamique GM150/SM150 (IGBT) 4.16KV MAX 800A

Contrôle industriel de précision de l'énergie grâce à la technologie – Siemens 6sl3912 - 5ap36 - 0aa0 IGBT Energy Card

Avantages de base

• Processus de précision allemand: Adoptez le Module IGBT d'origine de Siemens pour assurer la précision d'identification de grille (g) par la détection de résistance de niveau r × 1kq, le taux d'échec est inférieur à la norme de l'industrie de 30%

• Adaptation Multi - scène: prend en charge le système de convertisseur de fréquence moyenne tension sinamics gm150 / sm150 (3,3 - 4,16 kV), la conception refroidie par air répond aux besoins de fonctionnement continu de l'industrie lourde

• Longue durée stable: conforme aux normes environnementales de la Directive RoHS, la structure compacte de 20 kg atteint 20 000 heures de fonctionnement sans interruption

Cas d'application
Une fois qu'une entreprise d'automatisation a adopté ce modèle:
• 18% de réduction de la consommation d'énergie de la ligne
• Le cycle de maintenance de l'équipement est prolongé à l'original 2,5 fois
• compatible avec les modules de série tels que 6sl3912 - 0ap36 - 0aa0 pour une extension flexible

Garantie de service

• Pékin en stock approvisionnement (MOQ 1pcs)

• Fournit des conseils techniques sur la détection multimètre et une réponse d'urgence de 72 heures

• Service de remplacement gratuit pendant la période de garantie de trois ans

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Paramètres du produit:

Module IGBT à interrupteur unique IHM B 1700 V 2400a 190 mm avec grille de tranchée / terminaison de champ IGBT de quatrième génération,

IHV B 3300 VInterrupteur simple 1000 a 130 mmModule IGBT, avec trenchstop de troisième génération ™ IGBT、 Diodes à faibles pertes de commutation et à contrôle d'émetteur - des solutions pour les applications de traction et industrielles

Modèle du module 3300v IGBT:

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
Module IGBT fz1000r33hl3
Module IGBT fz1000r33he3
Module IGBT fz1200r33he3
Module IGBT fz1500r33he3
Module IGBT fz1500r33hl3
Module IGBT fz1600r33he4
Module IGBT fz1400r33he4
Module IGBT fz2400r33he4
Module IGBT ff450r33t3e3
Module IGBT fz825r33he4d

Description des caractéristiques

Spécifications du produit:

Type IGBT: coupure de champ de type tranchée

Configuration: demi - Pont

Tension - claquage collecteur: 1700 V

Courant - collecteur (IC): 2400 a

Courant - coupure du collecteur: 100 µa

Capacité d'entrée (CIES) à différents VCE: 122 NF @ 25 V

Entrée: Standard

Thermistance NTC: aucun

Température de fonctionnement: - 40 ° C ~ 175 ° C (tj)

Type de montage: montage sur base

Encapsulation / boîtier: module

Boîtier du dispositif du fournisseur: AG - 62mm

Caractéristiques du produit:

Densité de puissance élevée

VCE, SAT

Tvj op = surcharge à 175°C

Distance de montée élevée et écart électrique

Conforme à la norme ROHS

4 kV AC 1 min d'isolation

Encapsulation avec CTI > 400

Certifié UL / CSA avec ul1557 e83336

TRENCHSTOP ™ Plaquette igbt7

Amélioré EconoDUAL ™ 3 Encapsulation

225, 750 et 900 A，1700V Module demi - Pont

Diode, 750 A IGBT Avec 1200 A Diodes (uniquement FF750R17ME7D_B11）

La température de jonction de travail peut atteindre 175 ° en cas de surcharge C

Pin de contrôle à sertir

Plaque d'entraînement Siemens IGBT a5e00337012

Avantages:

Boîtier existant avec capacité de courant élevée, permettant d'augmenter la puissance de sortie de l'onduleur avec la même taille de cadre

Densité de puissance élevée

Évitez la mise en parallèle des modules IGBT

Réduire les coûts du système en simplifiant les systèmes d'onduleurs

Flexibilité

Haute fiabilité

Domaines d'application du produit:

Alimentation sans interruption (UPS)

Systèmes de stockage d'énergie

Contrôle moteur et entraînement

Véhicules commerciaux, de construction et agricoles (CAV)

Convertisseur de fréquence

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Est un fournisseur de chaîne industrielle de vente de semi - conducteurs d'électronique de puissance et de solutions pour l'industrie de l'électronique de puissance intégrant le canal, la distribution, la distribution, la vente directe et le modèle OEM.

Vente de dispositifs semi - conducteurs électroniques de puissance de marque nationale et étrangère, convertisseurs de fréquence, accessoires de convertisseur de fréquence, capacités électrolytiques en aluminium et modules de puissance; Principalement distribué en Allemagne Infineon Infineon, eupec

Siemens Siemens, siemencon SEMIKRON, ixys - eisers, AEG, VISHAY, Danfoss - Danfoss, Tyco - Tyco, dynex - Danfoss, Vacon - weiken, Mitsubishi Mitsubishi,

Fuji Fuji, Fairchild Fairchild Semiconductor, Toshiba Toshiba, Hitachi Hitachi, sanrex Sanji, Sanken Sanken POWEREX, Inda Niec, IR américain, ABB Suisse, powersem, Nell Niel; Yaskawa Yaskawa;

Sigma, Royaume - Uni, IGBT, igct, IPM, PIM, Thyristors silicones contrôlables, GTO, GTR Darlington, pont redresseur, diodes, modules à effet de champ fabriqués par catelec et d'autres entreprises en Espagne; Fuji (Japon),

Sunrise (Hinode), Roland (Ferraz), France, Gould, Royaume - Uni, fusibles rapides bussmann, États - Unis; KEMET， Arcotronics Italie (av),

Itelcond, Facon Italie, ikeki electronicon Allemagne, Thomson TPC France, Hitachi Japon, Nippon Chemi - con kurde, nichicon Nikon;

Ruby, Epcos Epcos, RIFA fornift en Suède, BHC au Royaume - Uni, capacité électrolytique BHC aerovox et capacité inductive CDE aux États - Unis; Swiss concept IGBT drives, optocoupleurs, variateurs de fréquence, cartes d'entraînement, cartes d'alimentation, cartes de communication, cartes d'interface

Panneau d'opération

Module IGBT 6sl39125ap360aa0

Qu’est - ce que l’igbt?

L'IGBT, c'est - à - dire le transistor de type bipolaire à grille isolée, est un dispositif semi - conducteur de puissance composite de type entièrement commandé en tension composé de BJT (triode de type bipolaire) et de MOS (transistor à effet de champ de type grille isolée), combinant les avantages de la Haute impédance d'entrée du MOSFET et de la faible chute de tension en conduction du GTR. La tension de saturation GTR est réduite, la densité de courant porteur est importante, mais le courant de conduite est important; La puissance d'entraînement du MOSFET est faible, la vitesse de commutation est rapide, mais la chute de pression en conduction est importante et la densité de courant porteur est faible. L'IGBT combine les avantages des deux dispositifs ci - dessus avec une faible puissance d'entraînement et une réduction de la pression de saturation. Idéal pour les applications dans les systèmes à courant variable tels que les moteurs à courant alternatif, les convertisseurs de fréquence, les alimentations à découpage, les circuits d'éclairage, les transmissions de traction et d'autres domaines avec une tension continue de 600 V et plus.

Comparaison entre IGBT et MOSFET

Transistor à effet de champ de puissance complet MOSFET. Ses trois pôles sont respectivement la source (s), le drain (d) et la grille (g).

Avantages: bonne stabilité thermique et grande zone de travail sûre.

Inconvénients: faible tension de claquage et faible courant de fonctionnement.Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., LtdPlaque d'entraînement Siemens IGBT a5e00337012

Le transistor bipolaire à grille isolée IGBT est le produit de la combinaison d'un MOSFET et d'un GTR (Transistor de puissance). Ses trois pôles sont respectivement le collecteur (c), l'émetteur (e) et la grille (g).

Caractéristiques: la tension de claquage peut atteindre 1200v, le courant de saturation du collecteur a dépassé 1500a. La capacité du convertisseur de fréquence utilisé par IGBT comme dispositif inverseur est supérieure à 250kva et la fréquence de fonctionnement peut atteindre 20Khz.

Applications typiques pour IGBT

moteur électrique

Alimentation sans interruption

Installation de panneaux solaires

Soudeuse

Convertisseur de puissance et inverseur

Chargeur inductif

Four électromagnétique