-
Courriel
jack.shi@scitest.cn
-
Téléphone
13381923051
-
Adresse
Pièce 1001, batiment 32, rue Shenbin 1051, Shanghai
Catégories de produits
Shanghai jiulichuan Trading Co., Ltd
Sti5300c IV analyseur de courbe caractéristique
NégociableMise à jour sur01/07
- Modèle
- Nature du fabricant
- producteurs
- Catégorie de produit
- Lieu d'origine
Vue d'ensemble
St5300c les produits de la série st5300c de STI Corporation of America sont un testeur de dispositifs discrets très avancé, un analyseur de courbe caractéristique IV, une large gamme de tests couvrant presque toutes les diodes, Triodes et tubes de puissance. St5300c sti5300c IV analyseur de courbe caractéristique $R $N US STI est un fabricant professionnel d'instruments de test de dispositifs de puissance, fournissant des solutions de test pour 2000v haute tension, 1200a courant élevé;
Détails du produit
Le ST5300HXLe système de test de série est un système de test intelligent de dispositif discret de puissance.Le ST5300HXL'utilisation du produit est relativement pratique, il suffit de se connecter à l'ordinateur via USB ou 232, via une interface homme - machine conviviale dans l'ordinateur, pour terminer le test. Et peut mettre en œuvre des données de test au format Excel
Principaux modèles:Le ST5300CSti5300c IV analyseur de courbe caractéristique
ST1005HX 1000V 50A;
ST2005HX 2000V 50A;
ST2010HX 2000V 100A;
ST2050HX 2000V 500A;
ST2100HX 2000V 1000A;
ST2120HX 2000V 1200A; 10V@1200A ；
St - 1000lc 1pa fuite d'électricité
Les programmes de test IGBT comprennent: ICES, igesf, igesr, bvces, vgeth, GfE
Paramètres statiques tels que vcesat, icon, rdson, vgeon, VF, etc.
QC / ft / CP / fa de l'usine de fabrication électronique, ainsi que le criblage de composants, l'analyse de défaillance et d'autres départements de la société de convertisseur de fréquence,
Autres projets de test:Le ST5300CSti5300c IV analyseur de courbe caractéristique
Diode Diode 2.. Diode stabilisée (Zener) Zener
Transistor Transistor (TYPE NPN / type PNP)
4. Redresseur de silicium contrôlable (Thyristor commun) SCR
5. Silicium contrôlable bidirectionnel (Thyristors bidirectionnels) triac
6. MOSFET de puissance de tube d'effet de champ de MOS (n - sillon / P - sillon)
7. Tube à effet de champ à jonction J - FET (n - sillon / P - sillon, déplétion / renforcé)
8. Régulateur à trois extrémités Regulator (positif / négatif, fixe / variable)
9. Transistor bipolaire de haute puissance à grille isolée IGBT (TYPE NPN / type PNP)
10. Opto - coupleur Opto - coupler (TYPE NPN / type PNP)
11. Dispositifs Opto - logiques
12. Tube de commutation Opto - switch
13. Réseau Darlington
14. Protecteur de surtension à l'état solide ssovp
15. Interrupteur de déclenchement de silicium STS
16. Relais Relay (type a, B, c)
17. Résistance de changement de tension d'oxyde métallique mov
18. Résistance de changement de tension varisto
19. Diode à déclenchement bidirectionnel DIAC
La solution:
Paramètres techniques et objectifs réalisables
Tension du pôle principal: 1000v facultatif: 2000v
Courant de pôle principal: 50A facultatif: 100A, 500A, 1000a, 1200a
Tension de pôle de contrôle: 20v facultatif: 80V
Courant de pôle de contrôle: 10A facultatif: 40A
Résolution de tension: 1mv
Résolution rdson: 0,1 mohm
Résolution actuelle: 100pa facultatif: 1pa
