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Shanghai jiulichuan Trading Co., Ltd
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Analyseur de courbe caractéristique sti5000c Power Devices IV

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Vue d'ensemble

La courbe I - V (courbe caractéristique standard) du dispositif de taux de réussite peut être générée automatiquement. Il existe un large éventail d'applications dans l'analyse de défaillance. Le nouveau nom est sti5000c Curve Tracker. Cette courbe de produit est actuellement en service dans de nombreux laboratoires de recherche et développement, centres d'inspection des matériaux entrants, ainsi que dans les laboratoires des grandes institutions scientifiques et universités, connus pour leur réactivité précise et rapide. La conversion numérique - analogique de 16 bits actuellement utilisée, avec une résolution encore plus élevée, rdson a une résolution micro - européenne. Le nouveau nom est sti5000c Curve Tracker. Cette courbe de produit est actuellement dans de nombreux cinq entreprises

Détails du produit

Logiciel STI - Curve traceUtilisé avec l'hôte de test st5000, la courbe I - V (courbe caractéristique standard) du dispositif de taux de réussite peut être générée automatiquement. Il existe un large éventail d'applications dans l'analyse de défaillance. Le nouveau nom est sti5000c Curve Tracker. Cette courbe de produit est actuellement en service dans de nombreux laboratoires de recherche et développement, centres d'inspection des matériaux entrants, ainsi que dans les laboratoires des grandes institutions scientifiques et universités, connus pour leur réactivité précise et rapide. La conversion numérique - analogique de 16 bits actuellement utilisée, avec une résolution encore plus élevée, rdson a une résolution micro - européenne.

Courbe caractéristique Standard:
Mosfet (canal N et canal P)
ID vs VDS dans la gamme de VGS
ID vs VGS à VDS fixe
IS contre VSD
RDS vs VGS à ID fixe
RDS vs. ID à plusieurs VGS
IDSS contre VDS
Transistor (NPN et PNP)
HFE contre IC
BVCE(O,S,R,V) contre IC
BVEBO contre IE
BVCBO contre IC
VCE(SAT) contre IC
VBE(SAT) contre IC
VBE(ON) vs IC (utilisez le test VBE)
VCE(SAT) vs IB dans une gamme de IC
VF contre IF