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Courriel
1316056746@qq.com
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Téléphone
15010040708
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Adresse
398, route de Zhongdong, secteur de Chaoyang, Pékin
Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd
1316056746@qq.com
15010040708
398, route de Zhongdong, secteur de Chaoyang, Pékin
Module IGBT fz1000r33hl3
Module IGBT fz1000r33he3
Module IGBT fz1200r33he3
Module IGBT fz1500r33he3
Module IGBTFZ1500R33HL3
Module IGBT fz1600r33he4
Module IGBT fz1400r33he4
Module IGBTFZ2400R33HE4
Module IGBTFF450R33T3E3
Module IGBTFZ825R33HE4D
nouveauté
Avec une puce 1200v sic m1h
Module de demi - Pont de 62mm, spécification maximale 1mΩ

62mm coolsic pour 1200v ™ Le module MOSFET Half Bridge est maintenant disponible. Grâce à la technologie m1h chip, le module est en VGS(th)et RDS(sur)Les performances en termes de dérive et de fenêtre de tension de commande de grille sont améliorées. Ces modules sont également disponibles en version pré - peinte thermiquement conductrice Interface Material (Tim).
Produits connexes:
1, 2, 6mΩ, 1200v 62mm demi - Pont module
Caractéristiques du produit
Diode intégrée, résistance thermique optimisée
La plus haute résistance à l'humidité
Fiabilité de la couche d'oxyde de grille
Forte résistance aux rayons cosmiques
Conforme aux exigences de la norme ROHS
Valeur appliquée
Optimisé pour les conditions exigeantes de l'application
Surtension inférieure
Perte minimale par conduction
Interrupteur haute vitesse, très faible perte
Conception de module symétrique pour un comportement symétrique de commutation de bras de pont supérieur et inférieur
La technologie d'encapsulation de module standard assure la fiabilité
Production sur ligne à haut rendement de 62 mm
Avantage concurrentiel
Extension de produits matures en boîtier de 62 mm au carbure de silicium pour répondre aux exigences de commutation rapide et aux applications à faibles pertes.
Densité de courant la plus élevée, forte résistance à l'humidité
Domaines d'application
Systèmes de stockage d'énergie
Recharge de véhicules électriques
Onduleurs photovoltaïques
UPS
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